@@ -51,12 +51,35 @@ \section{Dioden}
51
51
steilen Dotierungsverlauf.
52
52
53
53
\subsubsection {Zener-Diode }
54
- \begin {tabular }{l l}
55
- \multirow {5}{*}{
56
- \includegraphics [width=6cm]{./images/zdiode-kennlinie.png}} & \\
57
- & Anstieg der Durchbruchkennlinie bei spezieller Dotierung \\
58
- & Anwendung: Spannungsbegrenzung und -stabilisierung \\ & \\ & \\
59
- \end {tabular } \\
60
-
54
+ \begin {minipage }[c]{6cm}
55
+ \includegraphics [width=6cm]{./images/zdiode-kennlinie.png}
56
+ \end {minipage }
57
+ \begin {minipage }[t]{12cm}
58
+ Anstieg der Durchbruchkennlinie bei spezieller Dotierung \\
59
+ Anwendung: Spannungsbegrenzung und -stabilisierung \\
60
+ \\
61
+ Temperaturkoeffizient abhängig von Zenerspannung. $ ~0 $ bei $ 5.6 V$ -
62
+ darüber: negativer Temperaturkoeffizient\\
63
+ \end {minipage } \\
64
+
61
65
\subsubsection {Schottky-Diode }
62
- ToDo!
66
+ Anstatt der p-Zone hat die Schottky-Diode eine Metall-Zone. Weil vom Metall
67
+ keine Löcher in den Halbleiter diffundieren, gibt es keine Diffusionskapazität
68
+ und die Diode bekommt ein sehr schnelles Schaltverhalten und eine kleine
69
+ Durchflussspannung $ U_{F0} \approx 0 ,3 V$ . \\
70
+
71
+ \subsubsection {Leuchtdiode }
72
+ Leuchtdioden werden aus verschiedenen Substraten (Halbleitern) hergestellt,
73
+ z.B. GaAs (Gallium-Arsenid), InGaN (Indium-Gallium-Nitrid) um verschiedene
74
+ Farben (Wellenlängen) zu produzieren. Typisch sind: \\
75
+ \begin {tabular }{|l|l|l|c|} \hline
76
+ infrarot & $ 900 nm$ & GaAs & $ 1 ,0 -1 ,5 V$ \\ \hline
77
+ rot & $ 635 nm$ & GaAsP & $ 1 ,6 -2.2 V$ \\ \hline
78
+ grün & $ 565 nm$ & GaP & $ 2 ,0 -2 ,4 V$ \\ \hline
79
+ blau & $ 490 nm$ & InGaN & $ 3 ,2 -4 ,0 V$ \\ \hline
80
+ \end {tabular }\\
81
+
82
+ \subsubsection {Photodiode }
83
+ Photodioden werden in Sperr-Richtung angeschlossen. Der Sperrstrom erhöht sich
84
+ bei Lichteinfall. Meistens werden Photodioden mit einen OP-Verstärker (als
85
+ Transimpedanzverstärker) benutzt. \\
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